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                  无锡市星火电器有限公司
                  生产电力半导体器件的专业厂家

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                  关于电力电子器件概述,星火电器为您梳理

                  发布日期:2020-11-05 10:00
                  信息摘要:
                  概念: 电力电子器件,又称电力半导体器件,主要应用于电力设备的功率转换和控制电路中(通常指电流在几万到几万a,电压在几百伏特以上)。 设备开发: 电源器件几乎应用于所有电子...
                  概念:
                         电力电子器件,又称电力半导体器件,主要应用于电力设备的功率转换和控制电路中(通常指电流在几万到几万a,电压在几百伏特以上)。
                  设备开发:
                         电源器件几乎应用于所有电子制造行业,包括笔记本、PC、服务器、显示器和计算机领域的各种外设;网络通信领域的手机、电话机等终端及办公设备;传统的黑白家用电器和消费电子领域的各种数码产品;工业PC、工业控制类的各种仪器和控制设备。
                         电源装置在保证这些装置正常运行的同时,也能起到有效的节能作用。由于电子产品需求的不断增加和能源效率的要求,中国的电力设备市场保持了快速的发展速度。
                  分类:
                         根据控制电路信号对电力电子设备的控制程度:
                  1. 半控制器件,如晶闸管;
                  2. 全控制器件,如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
                  3.不可控装置,如功率二极管。
                  根据驱动电路在控制端与电力电子设备公用端之间所加信号的性质,将信号分为以下几种:
                  1. 电压驱动器件,如IGBT、功率MOSFET、Sith(静电感应晶闸管);
                  2. 电流驱动装置,如晶闸管,GTO, GTR。
                  根据电力电子设备控制端与共用端之间的有效信号波形,驱动电路可分为以下几种
                  1. 脉冲触发,如晶闸管和GTO;
                  2. 电子控制类型,如GTR, powermosfet, IGBT。
                  根据电力电子器件中电子和空穴参与导电的情况进行分类
                  1. 双极器件,如功率二极管、晶闸管、GTO和GTR;
                  2. 单极器件,如功率mosfet、sit、肖特基势垒二极管;
                  3.复合器件,如MCT (MOS控制晶闸管)、IGBT、Sith和IGCT。
                  设备的优点和缺点:
                  功率二极管:结构原理简单,工作可靠;
                  晶闸管:所有器件的耐压和电流容量高
                  IGBT:开关速度快,开关损耗小,能承受脉冲电流冲击,通态压降低,输入阻抗高,电压驱动,低驱动功率;缺点:开关速度低于功率MOSFET,电压电流容量小于GTO
                  GTR:耐压高、电流大、开关特性好、载流能力强、饱和电压低;缺点:开关速度低、电流驱动、驱动功率大、驱动电路复杂、二次击穿
                  GTO:电压电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效果,电流容量大;缺点:电流关断增益很小,门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
                  功率MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高,无二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压能力低,一般适用于功率小于10kW的电力电子设备。
                  限制条件:耐压、电流容量、开关速度
                   

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